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Electrical Characteristics (T A = -40°C to +85°C, V CC = 4.5V to 16V)
Symbol
Ee(+)
Parameter
Positive Going Threshold
Irradiance (5)
Test Conditions
T A = 25°C
Min.
0.025
Typ.
Max.
0.250
Units
mW/cm 2
Ee(+)/Ee(-) Hysteresis Ratio
1.10
2.00
I CC
Supply Current (5)
Peak to Peak Ripple which
Ee = 0 or 0.3mW/cm 2
f = DC to 50MHz
5.0
2.00
mA
V
will Cause False Triggering
QSE156/C (Buffer Totem Pole)
V OH
V OL
High Level Output Voltage (5)
Low Level Output Voltage
Ee = 0.3mW/cm 2 , I OH = -10mA
Ee = 0, I OL = 16mA
V CC – 2.1
0.40
V
V
QSE157/C (Inverter Totem Pole)
V OH
High Level Output Voltage
Ee = 0, I OH = -10mA
V CC – 2.1
V
V OL
Low Level
Output Voltage (5)
Ee =
0.3mW/cm 2 ,
I OL = 16mA
0.40
V
QSE158/C (Buffer Open Collector)
I OH
V OL
High Level Output Current (5)
Low Level Output Voltage
Ee = 0.3mW/cm 2 , V OH = 30V
Ee = 0, I OL = 16mA
100
0.40
μA
V
QSE159/C (Inverter Open Collector)
I OH
High Level Output Current
Ee = 0, V OH = 30V
100
μA
V OL
Low Level
Output Voltage (5)
Ee =
0.3mW/cm 2 ,
I OL = 16mA
0.40
V
QSE156/C, QSE157/C
t R , t F
t PHL , t PLH
Output Rise, Fall Times
Propagation Delay
Ee = 0 or 0.3mW/cm 2 ,
f = 10kHz, DC = 50%,
R L = 360 Ω (5)
6.0
70
nS
μS
QSE158/C, QSE159/C
t R , t F
t PHL , t PLH
Output Rise, Fall Times
Propagation Delay
Ee = 0 or 0.3mW/cm 2 ,
f = 10kHz, DC = 50%,
R L = 360 Ω (5)
6.0
100
nS
μS
Note:
5. λ = 880nm (AlGaAs).
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
QSE156/C, QSE157/C, QSE158/C, QSE159/C Rev. 1.0.2
3
www.fairchildsemi.com
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